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端午节亲子味足 奇葩粽子网上促销火爆 传统口味线下销量稳定
发布时间:2025-07-02 06:21:31  来源:博世机械制造有限公司

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【图文导读】图一b-As晶体的表征(a)具有层状特性的b-As晶体结构模型(b)单层和多层b-As薄片的显微拉曼光谱(c、节亲d)b-As晶体的HRTEM和选区电子衍射(SAED)图像图二单层b-As场效应晶体管的表征(a)单层b-As场效应晶体管的截面示意图(b)单层b-As场效应晶体管的AFM图像(c)不同漏源电压下(从-0.01到-1V)单层器件的输运特性(Ids-Vg),节亲其左侧是对数刻度,右侧是线性刻度(d)不同栅极电压下(0到-20V)器件的输出特性图三b-As场效应晶体管载流子输运与厚度及温度之间的相关性(a)在Vds为-0.5V时,b-As的载流子迁移率及开关电流比与材料厚度之间的函数关系曲线(b)三种代表性厚度(4.6、8.9和14.6nm)的砷基场效应晶体管的输运特性,插图表示厚度为14.6nm样品的输出特性(c)不同温度下厚度为9.5nm的b-As场效应晶体管的输运特性(Ids-Vg)(d)载流子迁移率随温度的变化关系,在温度约为230K处载流子迁移率出现峰值,为52cm2V-1s-1,在低温区域,载流子迁移率主要受限于杂质散射,在高于230K的区域,载流子迁移率随着温度的升高而快速降低,其变化关系可由μ∝T-α表示,其中α≈0.3,这是由于在该温度区域内晶格散射占主导地位图四b-As器件的环境稳定性(a)少层b-As晶体管的漏源I-V特性与环境暴露时间之间的关系,可以看出26天后,晶体管仍保持良好的欧姆接触性能(b)晶体管的输运性能随暴露时间的变化关系(c)该晶体管的载流子迁移率和开关电流比与暴露于空气中的时间之间的函数关系,随着暴露时间的增加,该晶体管的迁移率从26cm2V-1s-1非线性降低至约为8.4cm2V-1s-1,而开关电流比却从69增加至约为97,对于该场效应晶体管,砷的厚度为11.9nm,沟道长≈2μm,沟道宽≈2μm(d)b-As中的氧含量与暴露于空气的时间之间的函数关系,该数值取自HAADFSTEM-EDX结果图五少层b-As的电子性质(a)单层原子结构和相关布里渊区的俯视图(b)理论计算的单层黑砷的电子能带结构(c、d)CBM和VBM的电荷分布(e)黑砷的带隙变化与层厚之间的函数关系【小结】本文制备出机械剥离的单层和少层b-As基场效应晶体管并详细地研究了它们的电学性质。【通讯作者及团队介绍】(1)团队介绍魏钟鸣,味足奇网中国科学院半导体研究所,味足奇网半导体超晶格国家重点实验室研究员、博士生导师,兼任中国科学院大学岗位教授。

此外,葩粽b-As拥有相对良好的环境稳定性,这对其实际应用至关重要。理论预测表明,上促B-As的电子能带结构具有很强的层数依赖性:块体层状B-As是一种直接带隙半导体,其带隙值大约为0.3eV。

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